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  • 型号: MMBT5551-7
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT5551-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT5551-7价格参考。Diodes Inc.MMBT5551-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT5551-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT5551-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBT5551-7是Diodes Incorporated生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中高压晶体管。其主要应用场景包括:

1. 信号放大:由于具备较高的增益和频率响应,常用于音频放大器、前置放大电路及小信号放大电路中,适用于消费类电子产品如音响设备、耳机放大器等。

2. 开关电路:在数字逻辑电路、脉冲控制和电源管理中作为高速开关使用,适用于LED驱动、继电器控制和DC-DC转换器中的开关元件。

3. 高电压应用:MMBT5551-7具有高达300V的集电极-发射极击穿电压(VCEO),适合需要承受较高电压的电路,如高压电源监控、工业控制模块和荧光灯逆变器等。

4. 替代老式高压晶体管:因其高耐压和良好稳定性,常用于替代传统的2N5551等器件,在通信设备、电视电路和传感器接口中广泛应用。

5. 便携式设备:采用SOT-23小型封装,节省空间,适合手机、平板、可穿戴设备等对体积要求严格的电子产品。

综上,MMBT5551-7凭借其高电压能力、稳定性能和小型封装,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和电源管理等领域,是一款可靠的通用NPN晶体管解决方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS 160V 350MW NPN SMD SOT23-3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MMBT5551-7

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

MMBT5551-7DICT
MMBT5551CT
MMBT5551CT-ND
MMBT5551DICT
MMBT5551DICT-ND

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

NPN

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

160V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

300MHz

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