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  • 型号: MMBT4124LT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT4124LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT4124LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBT4124LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT4124LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT4124LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBT4124LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的通用晶体管。该型号广泛应用于各种电子电路中,其主要应用场景包括但不限于以下几类:

1. 开关应用:  
   MMBT4124LT1G 常用于数字电路中的开关功能。由于其低饱和电压和快速开关特性,适合在需要高频开关操作的场景中使用,例如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制。

2. 信号放大:  
   作为一款高性能的 BJT,它可以用于音频信号放大器、射频(RF)信号放大或其他低功率信号放大的场合。其高增益特性使其成为许多模拟电路的理想选择。

3. 电源管理:  
   在一些简单的电源管理电路中,该晶体管可以用作电流调节器或稳压器的一部分,帮助维持稳定的输出电压或限制电流。

4. 传感器接口:  
   在工业自动化或消费电子产品中,MMBT4124LT1G 可用于将传感器信号放大或转换为适合后续处理的形式,例如温度传感器、光电二极管等的信号调理。

5. 脉冲宽度调制 (PWM) 控制:  
   该晶体管适用于 PWM 信号的驱动和放大,可用于 LED 调光、直流电机速度控制或小型加热元件的功率调节。

6. 射频与无线通信:  
   尽管不是专门设计用于高频应用,但 MMBT4124LT1G 的频率响应范围足够支持一些低功耗射频模块中的信号处理任务。

7. 测试与测量设备:  
   在便携式或低成本测试仪器中,该晶体管可以用来构建放大器或缓冲器,以提高信号完整性。

总的来说,MMBT4124LT1G 凭借其可靠的性能、宽广的工作温度范围以及经济实惠的价格,非常适合于需要高效能和稳定性的中小型电子项目及产品设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 25V 200MA SOT23-3两极晶体管 - BJT 200mA 30V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT4124LT1G-

数据手册

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产品型号

MMBT4124LT1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 2mA,1V

产品种类

Transistors Bipolar- General Purpose

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBT4124LT1G-ND
MMBT4124LT1GOSTR

功率-最大值

225mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

25V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

120

系列

MMBT4124

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

25 V

集电极—基极电压VCBO

30 V

集电极—射极饱和电压

0.3 V

集电极连续电流

0.2 A

频率-跃迁

300MHz

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