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产品简介:
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MMBT4124LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 类型的通用晶体管。该型号广泛应用于各种电子电路中,其主要应用场景包括但不限于以下几类: 1. 开关应用: MMBT4124LT1G 常用于数字电路中的开关功能。由于其低饱和电压和快速开关特性,适合在需要高频开关操作的场景中使用,例如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制。 2. 信号放大: 作为一款高性能的 BJT,它可以用于音频信号放大器、射频(RF)信号放大或其他低功率信号放大的场合。其高增益特性使其成为许多模拟电路的理想选择。 3. 电源管理: 在一些简单的电源管理电路中,该晶体管可以用作电流调节器或稳压器的一部分,帮助维持稳定的输出电压或限制电流。 4. 传感器接口: 在工业自动化或消费电子产品中,MMBT4124LT1G 可用于将传感器信号放大或转换为适合后续处理的形式,例如温度传感器、光电二极管等的信号调理。 5. 脉冲宽度调制 (PWM) 控制: 该晶体管适用于 PWM 信号的驱动和放大,可用于 LED 调光、直流电机速度控制或小型加热元件的功率调节。 6. 射频与无线通信: 尽管不是专门设计用于高频应用,但 MMBT4124LT1G 的频率响应范围足够支持一些低功耗射频模块中的信号处理任务。 7. 测试与测量设备: 在便携式或低成本测试仪器中,该晶体管可以用来构建放大器或缓冲器,以提高信号完整性。 总的来说,MMBT4124LT1G 凭借其可靠的性能、宽广的工作温度范围以及经济实惠的价格,非常适合于需要高效能和稳定性的中小型电子项目及产品设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 25V 200MA SOT23-3两极晶体管 - BJT 200mA 30V NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT4124LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMBT4124LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,1V |
产品种类 | Transistors Bipolar- General Purpose |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | MMBT4124LT1G-ND |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 225 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
系列 | MMBT4124 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 25 V |
集电极—基极电压VCBO | 30 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
集电极连续电流 | 0.2 A |
频率-跃迁 | 300MHz |