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  • 型号: MMBT2369LT1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2369LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2369LT1价格参考。ON SemiconductorMMBT2369LT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT2369LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT2369LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBT2369LT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的通用NPN型小信号双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23封装,具有低噪声、高增益(hFE典型值150–300)、快速开关特性(fT ≈ 400 MHz)及良好一致性。

其典型应用场景包括:  
1. 高频小信号放大:适用于VHF/UHF频段的射频前端、无线接收器中的低噪声前置放大级(如AM/FM收音机、遥控接收模块);  
2. 高速开关电路:用于脉冲整形、逻辑电平转换、LED驱动、继电器/小型电磁阀的驱动控制等中低功率开关场合;  
3. 模拟信号处理:在传感器信号调理电路(如温度、光敏信号微弱放大)、音频输入级、振荡器(如多谐振荡器、晶体振荡缓冲级)中提供稳定增益;  
4. 便携式与电池供电设备:得益于低饱和压降(VCE(sat)≈0.15V @ IC=10mA)和低功耗特性,广泛应用于手机周边电路、可穿戴设备、IoT节点等对能效和尺寸敏感的场景。

需注意:该器件为通用小信号管,不适用于大电流(IC max = 200 mA)或高压(VCEO = 15 V)工况,设计时应留足裕量并合理匹配基极驱动。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS SS GP NPN 15V SOT23

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MMBT2369LT1

PCN设计/规格

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 10mA,350mV

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBT2369LT1OSCT

功率-最大值

225mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

NPN

标准包装

10

电压-集射极击穿(最大值)

15V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

-

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