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  • 型号: MMBT2222A-G
  • 制造商: COMCHIP TECHNOLOGY
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2222A-G由COMCHIP TECHNOLOGY设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2222A-G价格参考¥0.05-¥0.05。COMCHIP TECHNOLOGYMMBT2222A-G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBT2222A-G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT2222A-G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBT2222A-G 是安森美(ON Semiconductor)推出的通用NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23小型表面贴装封装,具有高增益(hFE典型值100–300)、低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.3V @ IC=150mA)、最大集电极电流IC=600mA、最高集射极电压VCEO=40V,适用于中低功率开关与放大场景。

典型应用场景包括:  
1. 信号开关与逻辑电平转换:在微控制器(如STM32、Arduino)I/O口驱动LED、继电器、小功率MOSFET栅极等场合,作为低成本、可靠的有源开关;  
2. 小功率负载驱动:驱动蜂鸣器、小型直流电机(<200mA)、数码管/LED段选控制等;  
3. 模拟信号放大:在音频前置放大、传感器信号调理(如热敏电阻、光电二极管微弱信号)等低频(<100MHz)线性应用中作共发射极放大级;  
4. 电源管理辅助电路:用于LDO使能控制、电源状态指示、过流检测反馈回路中的开关元件;  
5. 消费电子与工业控制板:广泛应用于机顶盒、家电控制板、智能电表、工业PLC模块等对成本、尺寸和可靠性要求较高的嵌入式系统中。

其SOT-23封装便于自动化贴片生产,温度范围达−55°C至+150°C(TJ),具备良好热稳定性和ESD防护能力(HBM ≥ 4kV),是替代传统TO-92封装2N2222的主流升级型号。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-23

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

Comchip Technology

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产品型号

MMBT2222A-G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

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产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,10mV

供应商器件封装

SOT-23

功率-最大值

225mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

NPN

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

300MHz

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