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- 型号： MMBD770T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD770T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD770T1价格参考。ON SemiconductorMMBD770T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBD770T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD770T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBD770T1（ON Semiconductor）是一款双共阴极硅开关二极管，虽常归类于通用/高速开关二极管，但在部分资料中被纳入射频（RF）相关应用分类，主要因其具备低结电容（典型值约4pF @ 0V）、快速开关特性（反向恢复时间trr ≈ 4ns）和良好高频响应能力。其典型应用场景包括： 1. 射频检波与限幅：在低功率接收前端（如AM/FM收音机、无线遥控、ISM频段模块）中用作简单包络检波器或输入信号限幅保护，防止强干扰信号损坏后级LNA。 2. 本振（LO）隔离与混频辅助电路：在简易混频器或变频电路中，配合无源器件实现LO泄漏抑制或本地振荡信号的门控切换。 3. 高速逻辑电平转换与钳位：在数字-射频混合电路中，用于TTL/CMOS电平与RF偏置之间的隔离、瞬态电压钳位或ESD保护（需配合TVS等器件）。 4. 小信号开关与调制解调辅助：适用于低频至VHF频段（≤200 MHz）的信号通断控制，如ASK/OOK调制中的载波门控。 注意：MMBD770T1并非专为高功率或微波频段（>1 GHz）设计，不适用于5G射频前端、PA驱动等高性能场景；其优势在于成本敏感、中低频、小信号应用。实际选型需结合工作频率、功率、线性度及封装要求综合评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 1A 70V SOT-323 |
| 产品分类 | RF 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBD770T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 If、F时的电阻 | - |
| 不同 Vr、F时的电容 | 1pF @ 20V，1MHz |
| 二极管类型 | 肖特基 - 单 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率耗散（最大值） | 120mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 70V |
| 电流-最大值 | 200mA |
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