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- 型号： MMBD7000LT3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD7000LT3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD7000LT3价格参考。ON SemiconductorMMBD7000LT3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBD7000LT3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD7000LT3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBD7000LT3 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道共阴极肖特基势垒二极管阵列，采用SOT-23-3封装。其典型应用场景包括： 1. 高速开关与信号钳位：得益于低正向压降（约0.45 V @ 10 mA）和超快反向恢复时间（<4 ns），适用于数字电路中的电平转换、I/O端口保护及信号线钳位，防止过压或ESD损伤。 2. 电源管理中的同步整流/续流：常用于小功率DC-DC转换器（如Buck拓扑）中作为续流二极管，提升效率；亦可用于LDO输入/输出反向阻断，防止电池反接或电源倒灌。 3. 双路独立整流：两个独立二极管共阴极结构，适合需双路低压整流的场合，如传感器供电路径隔离、双电源轨检测或冗余电源OR-ing（配合外部MOSFET实现简易理想二极管功能）。 4. 通信接口保护：广泛应用于USB、RS-232/485、I²C等接口的瞬态电压抑制（TVS协同使用）和直流偏置隔离，提供双向ESD防护（IEC 61000-4-2 Level 4）。 5. 便携式设备电源路径管理：在智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中，用于充电路径切换、电池充放电隔离及负载开关辅助电路，兼顾小尺寸与高可靠性。 该器件工作结温范围宽（–65°C 至 +150°C），符合AEC-Q200（部分批次），亦适用于汽车电子中的非安全关键子系统（如信息娱乐电源）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ARRAY 100V 200MA SOT23 |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBD7000LT3 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 100V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 1 对串联 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 100V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 200mA（DC） |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
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