Datasheet下载- 型号： MMBD4448HTM-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBD4448HTM-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBD4448HTM-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBD4448HTM-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBD4448HTM-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBD4448HTM-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBD4448HTM-7-F 是德州仪器（Texas Instruments）推出的双通道高速开关二极管阵列（SOT-23-6封装），实际由两个独立的、共阴极或共阳极配置（具体依数据手册，该型号为共阴极）的高速硅开关二极管组成。其典型应用场景包括： 1. 高速信号整流与钳位：适用于高频（fₜ高达约1 GHz）、低电流信号路径中的整流、限幅和电平钳位，如通信接口（RS-232/RS-485接收端保护）、ADC/DAC输入前端保护电路。 2. 逻辑电平转换与隔离：利用其快速反向恢复时间（tᵣᵣ ≈ 4 ns）和低结电容（Cⱼ ≈ 2 pF），可在多电压域系统中实现双向电平移位或信号隔离，常见于MCU与传感器/外设间的I/O接口。 3. ESD与瞬态保护：常作为低成本、高响应的二级ESD防护器件（配合TVS使用），用于USB、I²C、SPI等低速数字总线的静电泄放路径。 4. 精密检波与小信号整流：在射频/中频接收电路中用作包络检波器，或在微功率电源管理中实现低压差、低漏电（Iᵣ ≈ 1 nA @ 25°C）的信号整流。 注：该器件非标准整流器阵列（如肖特基整流桥），而是面向信号处理的高速开关二极管阵列，不适用于工频或大电流整流场景。设计时需注意其最大连续正向电流仅200 mA（峰值300 mA），且需严格遵循TI官方数据手册参数（如VRRM=80 V, VF≈0.75 V @ 10 mA）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ARRAY 80V 250MA SOT26二极管 - 通用，功率，开关 80V 225mW |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用，功率，开关,Diodes Incorporated MMBD4448HTM-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBD4448HTM-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 150mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 70V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 二极管配置 | 3 个独立式 |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 二极管 - 通用，功率，开关 |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 其它名称 | MMBD4448HTM-FDITR |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 4ns |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-26 |
| 峰值反向电压 | 80 V |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 4 ns |
| 最大反向漏泄电流 | 0.1 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 4 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 1.25 V |
| 正向连续电流 | 0.25 A |
| 热阻 | 357°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 80V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 250mA |
| 系列 | MMBD4448HT |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Triple Parallel |
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