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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MKE38P600LB-TRR由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MKE38P600LB-TRR价格参考。IXYSMKE38P600LB-TRR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MKE38P600LB-TRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MKE38P600LB-TRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS(现属Littelfuse)的MKE38P600LB-TRR是一款600V、38A、N沟道增强型高压功率MOSFET,采用TO-247AD封装,具备低导通电阻(Rds(on)典型值约0.12Ω)、快速开关特性及良好的雪崩耐量。其主要应用场景包括: - 工业电源与开关电源(SMPS):适用于AC-DC整流、PFC(功率因数校正)电路(如图腾柱PFC)、DC-DC变换器等中高功率场合(通常在1–5kW范围),尤其适合需要高效率和高可靠性的工业级电源模块。 - 电机驱动系统:用于变频器、伺服驱动器及泵/风机等三相逆变器的上桥臂或下桥臂开关,支持高频PWM控制,提升动态响应与能效。 - 新能源设备:在光伏逆变器(组串式或微型逆变器)的DC侧开关、储能系统(ESS)中的双向DC-DC转换及电池管理单元(BMS)保护电路中,提供高效、稳健的功率切换能力。 - UPS不间断电源:作为逆变级主开关器件,保障市电与电池供电间的快速无缝切换。 该器件具备优良的dv/dt抗扰性与短路耐受能力(典型10μs),适合硬开关及部分软开关拓扑;但需注意其栅极驱动电压推荐为10–15V(最大20V),并配合合理散热设计(结温≤150℃)。不适用于低压大电流(如<100V)或极高频(>500kHz)场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 50A SMPD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MKE38P600LB-TRR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS-SMPD™.B |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 9-SMD 模块 |
| 标准包装 | 200 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |