【未分类_MJE5740G】封装/厂家_MJE5740G中文资料_价格

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型号： MJE5740G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MJE5740G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE5740G价格参考。ON SemiconductorMJE5740G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MJE5740G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJE5740G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJE5740G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款NPN型高电压、高电流达林顿功率晶体管，采用TO-220封装。其典型应用聚焦于中等功率开关与线性放大场景。

主要应用场景包括：  
1. 继电器/电磁阀驱动：凭借高直流电流增益（hFE典型值达1000–5000）和高集电极电流能力（IC = 10 A连续，30 A脉冲），可直接驱动大感性负载，简化驱动电路设计；  
2. 电源管理模块：常用于线性稳压器的调整管、电池充电器的恒流/恒压控制环路，以及DC-DC转换器中的辅助开关或过流保护电路；  
3. 工业控制与电机控制：适用于小型直流电机（如风扇、泵）的启停与调速（配合PWM或模拟信号），以及PLC输出级驱动；  
4. 照明驱动：在LED恒流驱动或卤素灯调光电路中作为功率开关元件；  
5. 音频与信号放大：在低频功率放大器（如AB类音频输出级）中用作输出晶体管，但需注意其fT较低（约1 MHz），不适用于高频或射频应用。

该器件具有VCEO=100 V、VCBO=120 V、功耗PD=65 W（带散热器），内置基极-发射极反向二极管，便于感性负载续流保护。其达林顿结构虽提升电流驱动能力，但也带来约1.2–1.5 V的较高饱和压降（VCE(sat)），设计时需兼顾效率与温升。

综上，MJE5740G适用于对开关速度要求不高、但需强驱动能力与高耐压的中功率工业及电源类应用。

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