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- 型号： MJE5730
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE5730由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE5730价格参考。ON SemiconductorMJE5730封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJE5730参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJE5730 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE5730 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型中功率双极结型晶体管（BJT），采用TO-220封装，具备高电压（VCEO = 100 V）、大电流（IC = 8 A）和较高功率耗散（PD ≈ 50 W，带散热器）特性。其典型应用场景包括： 1. 开关电源与DC-DC转换器：用作主开关管或续流控制管，适用于中小功率离线式AC-DC适配器、工业电源模块中的PWM驱动级； 2. 电机驱动电路：在直流有刷电机、步进电机的H桥或单边驱动电路中承担功率开关功能，如风扇、泵、小型自动化设备控制； 3. 音频功率放大器输出级：作为AB类放大器的推挽输出管（常与互补PNP管如MJE5731配对），用于中等功率音响、公共广播系统等； 4. 工业控制与继电器驱动：驱动电磁阀、固态继电器、LED阵列或变压器初级绕组等感性负载，配合续流二极管实现可靠开关； 5. 电子镇流器与照明控制：在荧光灯/LED驱动电路中用于高频振荡或调光控制。 该器件具有良好的SOA（安全工作区）性能和内置基极-发射极反向二极管（部分版本），增强抗反向电压能力，适合中频（fT ≈ 3 MHz）、中速开关应用。需注意合理设计基极驱动（推荐IB ≥ IC/10确保饱和导通）并配备足够散热措施。不适用于高频射频或精密线性放大场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PWR PNP 1A 300V TO220AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MJE5730 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 200mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 300mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | MJE5730OS |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1mA |
| 频率-跃迁 | 10MHz |
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