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- 型号： MJD42C1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD42C1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD42C1价格参考。ON SemiconductorMJD42C1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJD42C1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD42C1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD42C1 是安森美（ON Semiconductor）推出的PNP型中功率双极结型晶体管（BJT），采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有–100 V集电极-发射极击穿电压（VCEO）、–6 A连续集电极电流（IC）及1.5 W功耗能力。其典型应用场景包括： 1. 线性稳压器与LDO后级调整管：作为PNP型达林顿或单管输出级，用于负压或高侧开关式稳压电路，提供稳定负载驱动能力； 2. 电机驱动与继电器控制：常用于中小功率直流电机（如风扇、泵）的反向/制动控制，或驱动电磁继电器线圈（尤其需高反向耐压场合）； 3. 电源保护与开关电路：在过流/过压保护模块中作关断开关，利用其高VCEO和快速响应特性实现可靠切断； 4. 工业控制接口：在PLC输出模块、传感器信号调理电路中，用作电平转换或电流放大级，适配TTL/CMOS逻辑驱动感性负载； 5. 音频与模拟电路：在低频功率放大器（如AB类输出级）或恒流源设计中，配合NPN互补器件（如MJD41C）构成对称结构。 该器件具备良好的热稳定性与SOA（安全工作区）表现，适用于中等功率、中低频（fT≈3 MHz）应用。注意：实际使用时需合理设计基极驱动、散热及反电动势吸收（如续流二极管），以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS POWER PNP 6A 100V IPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MJD42C1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 600mA，6A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 3A，4V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 频率-跃迁 | 3MHz |
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