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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD2955-001由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD2955-001价格参考。ON SemiconductorMJD2955-001封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD2955-001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD2955-001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD2955-001 是安森美(ON Semiconductor)推出的PNP型中功率双极结型晶体管(BJT),采用TO-220封装,具有高电流(IC = −10 A)、高电压(VCEO = −60 V)、高功耗(PD = 30 W)及良好热稳定性等特点。其典型应用场景包括: 1. 线性稳压器与LDO后级调整管:作为串联调整元件,配合控制电路实现大电流、低纹波的直流稳压输出(如工业电源、电池充电器); 2. 开关电源(SMPS)次级侧驱动/续流开关:在反激或正激拓扑中用作同步整流或辅助开关,尤其适用于中等功率(10–50 W)离线式电源; 3. 电机驱动与继电器驱动电路:驱动直流有刷电机(如风扇、泵)、电磁阀或大电流继电器线圈,利用其高饱和电流和低VCE(sat)(典型值−0.8 V @ IC = −5 A)提升效率; 4. 音频功率放大器输出级:常与NPN互补管(如MJD3055)组成AB类推挽输出级,用于中小功率(≤15 W)音频功放模块; 5. 工业控制中的达林顿预驱或电流放大环节:作为前级驱动信号的电流放大器,增强对IGBT/MOSFET栅极的充放电能力。 该器件具备内置基极-发射极钳位二极管(部分版本),可提升开关速度与抗干扰能力,适用于中频(fT ≈ 3 MHz)、中功率模拟与开关混合应用。注意需合理设计散热(加装散热片)并确保基极驱动电流充足(推荐IB ≥ IC/10),以保障可靠导通与长期稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS POWER PNP 10A 60V IPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MJD2955-001 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 8V @ 3.3A,10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 4A,4V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 50µA |
| 频率-跃迁 | 2MHz |