Datasheet下载- 型号： MJD122G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD122G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD122G价格参考￥询价-￥询价。ON SemiconductorMJD122G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJD122G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD122G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD122G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型功率晶体管。该型号广泛应用于需要中等功率放大的场景，以下是其主要应用场景： 1. 开关电路 - MJD122G 可用于直流开关电路中，作为电子开关控制负载的通断。例如，在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制中，它能够快速切换状态，实现高效控制。 - 其较高的电流承载能力（集电极最大电流可达 5A）使其适合驱动中等功率负载。 2. 音频放大器 - 在音频设备中，MJD122G 可用作功率放大级的一部分，处理低频信号放大任务。例如，在立体声功放、车载音响系统或便携式扬声器中，它可以提供稳定的输出功率。 3. 电源管理 - 该晶体管可用于线性稳压器中的调整管角色，帮助调节输出电压并保持稳定。此外，它也可以在某些 DC-DC 转换器中辅助实现功率传输和控制。 4. 电机控制 - 对于小型直流电机或步进电机，MJD122G 可以用作驱动晶体管，通过 PWM（脉宽调制）信号控制电机的速度和方向。 5. 负载驱动 - 它适用于驱动各种中等功率负载，如电磁阀、 solenoid（电磁铁）、加热元件等。由于其耐压能力（最高 60V），可以在一定范围内适应不同的工作电压需求。 6. 信号放大 - 在需要信号放大的场合，例如传感器信号调理电路中，MJD122G 可以将微弱的输入信号放大到适合后续处理的水平。 特点总结： - 高电流承载能力：集电极电流高达 5A，适合驱动中等功率负载。 - 适中的电压范围：集电极-发射极间最大电压为 60V，满足多数低压应用需求。 - 低饱和电压：有助于提高效率，减少功率损耗。 - 可靠性强：广泛应用于工业、消费电子及汽车领域。 总之，MJD122G 是一款通用性强、性能可靠的 NPN 功率晶体管，适用于多种需要功率放大或开关功能的电子电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 8A 100V DPAK达林顿晶体管 8A 100V Bipolar Power NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MJD122G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJD122G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 80mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 4A，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MJD122G-ND |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 功率耗散 | 20 W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 8 A |
| 最大集电极截止电流 | 10 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 1000 |
| 系列 | MJD122 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 100 V |
| 集电极连续电流 | 8 A |
| 频率-跃迁 | 4MHz |
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