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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MJD117-001
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD117-001由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD117-001价格参考。ON SemiconductorMJD117-001封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJD117-001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJD117-001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD117-001 是一款 PNP 型中功率双极结型晶体管（BJT），具有高电流增益（hFE 典型值达 1000）、连续集电极电流 IC 达 –4 A、集电极-发射极击穿电压 VCEO 为 –60 V，采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装，具备良好散热性与可靠性。 其典型应用场景包括： 1. 线性稳压器与LDO后级调整管：作为PNP型达林顿结构的驱动级或输出级，用于中等功率低压差稳压电路； 2. 继电器/电磁阀驱动电路：驱动12V/24V工业继电器或小型电磁执行器，利用其高β值降低前级驱动负担； 3. 音频功率放大器输出级（互补对称结构）：常与NPN型MJD112等配对，构成AB类互补推挽输出，适用于小功率音频功放（如机顶盒、便携音响电源部分）； 4. 开关电源次级侧反馈/保护电路：在隔离式DC-DC转换器中用于光耦接收端的信号放大或过流检测关断逻辑； 5. 电机控制（低速/小功率直流电机）：配合PWM控制器实现H桥低端或单向电机的通断控制（需注意续流保护设计）。 该器件不适用于高频开关（fT约3 MHz）或大功率射频场景，但因其成本低、鲁棒性强，在工业控制、电源管理及消费电子中的中低频模拟/功率接口电路中广泛应用。使用时建议加装基极下拉电阻以防误触发，并注意PCB热设计以保障长期稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DARL PNP 2A 100V IPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MJD117-001 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 3V @ 40mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 2A，3V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 20µA |
| 频率-跃迁 | 25MHz |
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