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- 型号： MJB6488
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJB6488由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB6488价格参考。ON SemiconductorMJB6488封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJB6488参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJB6488 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJB6488 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型高电压、高增益达林顿功率晶体管，采用TO-220封装，主要特点包括：VCEO = 120 V、IC = 12 A（连续）、hFE 典型值高达1000（在IC = 5 A时），具备内置基极-发射极反向并联二极管（用于吸收感性负载反电动势）。 其典型应用场景包括： 1. 工业控制中的继电器/电磁阀驱动：利用高电流放大能力，以小信号（如微控制器IO或光耦输出）直接驱动大功率负载； 2. 开关电源与DC-DC转换器的辅助电源或栅极驱动电路：适用于中等功率的次级侧开关或隔离反馈回路中的功率级； 3. 电机控制模块：如直流有刷电机的H桥低端开关或单向调速电路中的主开关元件； 4. 照明系统：LED路灯或高压COB LED的恒流/调光驱动电路中作线性或PWM开关调整管； 5. 电源保护与稳压电路：如过流保护的电子保险丝、可调线性稳压器的调整管（需配散热器）。 需注意：该器件为达林顿结构，饱和压降较高（VCE(sat) ≈ 1.5–2.5 V @ IC=5A），导通损耗较大，不适用于高频（>20 kHz）或高效率要求严苛场合；使用时须配备足够散热措施，并建议在基极串联限流电阻以防过驱动。 综上，MJB6488适用于中低频、中高电压（≤120 V）、中等电流（≤10 A）的功率开关与驱动场景，强调高直流增益和简化驱动设计。
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