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  • 型号: MJB41CT4
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJB41CT4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJB41CT4价格参考。ON SemiconductorMJB41CT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJB41CT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJB41CT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJB41CT4 是安森美(ON Semiconductor)推出的 NPN 型高功率达林顿晶体管(Darlington Transistor),采用 TO-220AB 封装,具有高电流增益(hFE 典型值达 1000)、连续集电极电流 IC 高达 10 A、集射极击穿电压 VCEO 为 100 V,适用于中高功率开关与放大场景。

典型应用场景包括:  
- 电机驱动电路:如直流有刷电机的启停与调速控制(配合 PWM),尤其适用于家电(洗衣机、风扇)、工业泵阀等中小功率电机控制;  
- 继电器/电磁阀驱动:利用其高电流增益特性,以微弱控制信号(如 MCU GPIO)直接驱动大电流负载,简化驱动级设计;  
- 线性稳压器与电子负载:作为调整管用于可调稳压电源或测试用电子负载的功率级;  
- 照明控制:驱动高亮度 LED 阵列或卤素灯调光电路;  
- 电源保护电路:如过流检测后的关断开关、热插拔保护等。

需注意:该器件为达林顿结构,饱和压降 VCE(sat) 较高(典型 3 V @ IC=5 A),导通功耗较大,故需搭配足够散热片;同时基极需串联限流电阻以防过驱动。不适用于高频开关(fT ≈ 3 MHz),推荐工作频率低于 100 kHz。

综上,MJB41CT4 主要面向对驱动能力要求高、但对开关速度和导通损耗容忍度较高的中功率模拟/开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PWR NPN 6A 100V D2PAK-3

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MJB41CT4

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 600mA,6A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 3A,4V

供应商器件封装

D2PAK

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

晶体管类型

NPN

标准包装

800

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

电流-集电极截止(最大值)

700µA

频率-跃迁

3MHz

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