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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MII150-12A4
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MII150-12A4由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MII150-12A4价格参考。IXYSMII150-12A4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MII150-12A4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MII150-12A4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS（现属Littelfuse）的MII150-12A4是一款1200V/150A双单元（Dual）IGBT模块，内置反并联快恢复二极管，采用行业标准HV130封装，具备高可靠性、低开关损耗与良好热性能。其典型应用场景包括： 1. 工业变频驱动：广泛用于中大功率三相电机驱动系统（如风机、水泵、压缩机、传送带），适配380–480V AC输入，支持矢量控制与DTC等高性能调速需求。 2. 不间断电源（UPS）：作为逆变器主功率开关，实现DC-AC高效转换，满足数据中心、医疗设备及关键设施对供电连续性与波形质量的严苛要求。 3. 感应加热与焊接电源：适用于中频（1–20 kHz）谐振逆变电路，凭借快速开关能力与低导通压降，提升能效与温度控制精度。 4. 可再生能源系统：在光伏并网逆变器（集中式或组串式）及风力发电变流器中，用作DC/AC或AC/DC级功率变换核心器件。 5. 电能质量设备：如有源电力滤波器（APF）、静止无功发生器（SVG），需高频、高动态响应特性，该模块可满足谐波实时补偿与无功调节需求。 注：使用时需匹配优化的驱动电路（±15V栅极电压、足够驱动电流）、可靠散热设计（推荐强制风冷或水冷）及完善过流/短路/过温保护机制，以确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB分立半导体模块 150 Amps 1200V |
| 产品分类 | IGBT - 模块分离式半导体 |
| IGBT类型 | NPT |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 分立半导体模块,IXYS MII150-12A4- |
| NTC热敏电阻 | 无 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MII150-12A4 |
| 不同 Vce时的输入电容(Cies) | 6.6nF @ 25V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V，100A |
| 产品 | Power Semiconductor Modules |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| 供应商器件封装 | Y3-DCB |
| 功率-最大值 | 760W |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | Y3-DCB |
| 封装/箱体 | Y3-DCB |
| 工作温度 | - 40 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 2 |
| 标准包装 | 2 |
| 正向电压下降 | 2.3 V |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 180A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 7.5mA |
| 类型 | IGBT Modules |
| 系列 | MII150 |
| 输入 | 标准 |
| 配置 | Dual |
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