【未分类_MGP7N60E】封装/厂家_MGP7N60E中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： MGP7N60E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MGP7N60E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MGP7N60E价格参考。ON SemiconductorMGP7N60E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MGP7N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MGP7N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MGP7N60E 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的600V、7A额定电流的N沟道增强型高压功率MOSFET（非IGBT），采用TO-220FP封装（带绝缘法兰）。尽管部分平台误标为“IGBT”，但其数据手册明确归类为MOSFET，具备低导通电阻（Rds(on)典型值0.75Ω）、快速开关特性及内置续流二极管，适用于中等功率、高频开关场景。

典型应用场景包括：  
- 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管，利用其高电压耐受与较快开关速度提升效率；  
- 逆变器与电机驱动：在小功率单相逆变器（如家用风扇、水泵、小型变频器）中作为桥臂开关元件；  
- 电磁加热控制：如电磁炉辅助电源或低功率感应加热电路中的高频开关器件；  
- 工业控制与PLC输出模块：用于驱动继电器、小型电磁阀或直流负载的固态开关；  
- UPS与太阳能微逆变器：在中小功率能量转换环节实现高效DC/AC或DC/DC变换。

需注意：该器件不适用于大电流连续导通或极高di/dt场合；设计时应充分考虑栅极驱动能力（推荐12–15V驱动电压）、散热设计（TO-220FP需良好散热片）及EMI抑制。不建议用于IGBT专属应用（如大功率三相逆变主回路）。

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