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产品简介:
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Rohm Semiconductor的MD51V65165E-50TAZ0AR是一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为64K × 16位,访问时间低至50纳秒,适用于对数据读写速度要求较高的场景。该器件工作电压为3.3V,具备低功耗与高可靠性的特点,广泛应用于工业控制、通信设备和网络基础设施等领域。 典型应用场景包括:网络交换机和路由器中的数据缓存,用于快速处理数据包;工业自动化设备中作为实时控制系统的关键存储单元,确保指令与状态信息的即时响应;嵌入式系统中配合微处理器或DSP使用,提升整体运算效率;还可用于测试测量仪器、医疗电子设备等需要稳定、高速存储性能的场合。 其高稳定性、宽工作温度范围及抗干扰能力强的特点,使其在严苛工业环境中表现优异。此外,该SRAM采用小型化TSOP封装,适合空间受限但性能要求高的设计需求。总体而言,MD51V65165E-50TAZ0AR是一款面向高性能工业与通信应用的可靠存储解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DRAM 64MBIT 50NS 50TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MD51V65165E-50TAZ0AR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 50-TSOP II |
| 其它名称 | MD51V65165E-50TA03A7 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | DRAM |
| 存储容量 | 64M(4M x 16) |
| 封装/外壳 | 50-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,170 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 50ns |