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  • 型号: MCP662T-E/SN
  • 制造商: Microchip
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MCP662T-E/SN由Microchip设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCP662T-E/SN价格参考。MicrochipMCP662T-E/SN封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCP662T-E/SN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCP662T-E/SN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MCP662T-E/SN是Microchip Technology推出的双通道、轨到轨输入/输出、高带宽(55 MHz增益带宽积)、低噪声(9.5 nV/√Hz)CMOS运算放大器,采用SOIC-8窄体封装(E/SN后缀)。其典型应用场景包括:

• 高速信号调理:适用于传感器信号放大(如光电二极管、应变片、热电偶前置放大)、ADC驱动(尤其搭配12–16位高速SAR型ADC),可提供低失真与快速建立特性;  
• 便携式医疗电子:用于心电图(ECG)、脉搏血氧仪等设备的模拟前端,受益于低功耗(每通道仅1.7 mA典型工作电流)、高PSRR(80 dB)及轨到轨输出,便于单电源(2.5–5.5 V)供电设计;  
• 工业过程控制:在PLC模拟I/O模块、4–20 mA环路接收器、电压/电流转换电路中,提供高精度缓冲与信号隔离接口;  
• 通信与音频前端:支持宽带滤波、有源抗混叠滤波器及音频线路驱动(虽非专用音频运放,但低失真与宽频响可满足中端要求);  
• 测试测量设备:作为示波器探头缓冲器、函数发生器输出级或精密基准缓冲器,得益于低输入偏置电流(1 pA)和低温漂(±2 µV/°C)。

该器件具备高ESD防护(>4 kV HBM)、无相位反转特性及稳定驱动1000 pF容性负载能力,适合对可靠性与动态性能有要求的中高端嵌入式模拟系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
-3db带宽

-

产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC OPAMP GP 60MHZ RRO 8SOIC

产品分类

Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps

品牌

Microchip Technology

数据手册

点击此处下载产品Datasheethttp://www.microchip.com/mymicrochip/filehandler.aspx?ddocname=en544097

产品图片

产品型号

MCP662T-E/SN

PCN组件/产地

http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5774&print=view

PCN设计/规格

http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5576&print=viewhttp://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5704&print=view

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

8-SOIC N

包装

带卷 (TR)

压摆率

32 V/µs

增益带宽积

60MHz

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

工作温度

-40°C ~ 125°C

放大器类型

通用

标准包装

3,300

电压-电源,单/双 (±)

2.5 V ~ 5.5 V, ±1.25 V ~ 2.75 V

电压-输入失调

1.8mV

电流-电源

6mA

电流-输入偏置

6pA

电流-输出/通道

80mA

电路数

2

输出类型

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