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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCP14E10-E/P由Microchip设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCP14E10-E/P价格参考。MicrochipMCP14E10-E/P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCP14E10-E/P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCP14E10-E/P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCP14E10-E/P 是 Microchip Technology 推出的一款高性能、单通道高速 MOSFET/IGBT 栅极驱动器,属于 PMIC(电源管理集成电路)中的栅极驱动器类别。其典型应用场景包括: - 中小功率开关电源(SMPS):如 AC-DC 适配器、DC-DC 模块,用于高效驱动同步整流 MOSFET 或主开关管,提升转换效率与动态响应。 - 电机驱动系统:适用于 BLDC(无刷直流)电机或步进电机的低电压(≤20V)、中等电流(峰值±10A)驱动电路,常用于风扇、小型家电、电动工具等。 - LED 驱动电源:在高调光比、高频 PWM 调光的恒流 LED 驱动中,用作高端/低端 MOSFET 的快速开关驱动,确保低延迟(典型传播延迟 25 ns)和最小死区时间失真。 - 工业控制与自动化设备:如 PLC 输出模块、固态继电器(SSR)驱动、H 桥驱动电路等,得益于其宽工作电压(4.5–20 V)、高抗噪性(dV/dt 抗扰度达 50 V/ns)及集成的欠压锁定(UVLO)保护。 - 电池供电设备:支持低功耗待机(静态电流仅 10 µA),适用于便携式仪器、IoT 网关等对能效敏感的应用。 该器件采用 DIP-8 封装(-E/P 后缀),具备反向极性保护、热关断及输出短路保护功能,设计简洁可靠,适合注重成本与性能平衡的中端电源与驱动应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER 3A 8DIP门驱动器 2A MOSFET Driver |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | Microchip Technology |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,Microchip Technology MCP14E10-E/P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCP14E10-E/P |
| PCN组件/产地 | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5776&print=view |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 其它名称 | MCP14E10EP |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Microchip Technology |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
| 封装/箱体 | PDIP-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 延迟时间 | 45ns |
| 最大功率耗散 | 1.12 W |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 18 V |
| 电流-峰值 | 3A |
| 电源电压-最大 | 18 V |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 电源电流 | 1800 uA |
| 类型 | Dual High Speed Power MOSFET Driver |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 2 |
| 输出电流 | 3 A |
| 配置 | 低端 |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | - |