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  • 型号: MCM01-001ED251G-F
  • 制造商: Cornell Dubilier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MCM01-001ED251G-F由Cornell Dubilier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCM01-001ED251G-F价格参考。Cornell DubilierMCM01-001ED251G-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCM01-001ED251G-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCM01-001ED251G-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MCM01-001ED251G-F 是一款由“-”(品牌栏为空,通常表示无标牌或代工型号,可能为国产定制电容器)生产的云母/PTFE复合介质电容器。其型号编码表明:容量为251 pF(即250 pF),容差±2%(G),额定电压通常为100 V DC 或更高(需查具体规格书,但MCM系列多用于中高压高频场景),采用云母与聚四氟乙烯(PTFE)复合介质结构。

该器件主要应用于对稳定性、低损耗和宽温性能要求极高的高频电路中,典型场景包括:  
1. 射频(RF)滤波与匹配网络——如5G基站前端模块、雷达收发组件中的带通/低通滤波器,利用其极低介质损耗(tanδ < 0.0003)和优异Q值(>10,000 @ 1 MHz)抑制杂散、提升信噪比;  
2. 高精度振荡电路——在恒温晶振(OCXO)、VCO压控振荡器中作调谐或负载电容,凭借云母的尺寸稳定性和PTFE的耐热性(-55℃~+125℃),确保频率漂移小(<10 ppm/℃);  
3. 航天与军工电子——因具备抗辐射、耐高湿、长寿命(MTBF > 10⁶小时)特性,适用于卫星通信载荷、导弹导引头等严苛环境;  
4. 高端音频设备耦合/旁路——在Hi-Fi功放输入级中替代普通陶瓷电容,减少相位失真,提升音质清晰度。

注:该型号非标准通用件,多为定制化供应,实际应用需严格依据原厂规格书确认电压、温度系数及焊接工艺(推荐回流焊,避免PTFE热降解)。
产品参数 图文手册 常见问题
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