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- 型号： MCH6603-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6603-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6603-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH6603-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH6603-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6603-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6603-TL-H 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道+P沟道互补型MOSFET阵列（Dual N+P Channel MOSFET），采用超小型SOT-723封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具备低导通电阻（Rds(on)：N-ch典型值34mΩ，P-ch典型值60mΩ@Vgs=4.5V）、快速开关特性及高功率密度，适用于空间受限、高能效的便携式电子设备。 典型应用场景包括： 1. 智能手机/平板电源管理：用于USB Type-C接口的正反向识别与电源路径控制（如VBUS开关、充电方向切换）； 2. DC-DC同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中，作为高效同步整流管，提升轻载至满载效率； 3. 负载开关与电源多路复用：实现多电源域（如主电池/USB供电）间的智能切换与过流保护； 4. 电机驱动辅助电路：在微型马达（如振动马达、镜头对焦）的H桥驱动外围，提供方向控制与制动功能； 5. TWS耳机与可穿戴设备：用于电池充放电路径管理、耳机检测及低功耗待机控制等紧凑型电源拓扑。 其集成双沟道结构可减少PCB面积与外围器件数量，配合安森美成熟的ESD防护（±2kV HBM）与热稳定性设计，广泛应用于对尺寸、效率和可靠性要求严苛的消费类及IoT终端产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 50V .14A MCPH6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MCH6603-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.4pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 欧姆 @ 40mA，4V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 140mA |
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