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  • 型号: MCH6342-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6342-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6342-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH6342-TL-H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH6342-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH6342-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MCH6342-TL-H 是安森美(ON Semiconductor)推出的双N沟道增强型MOSFET(采用共漏极配置的双芯片封装,但产品分类明确为“单个”MOSFET器件,实为单通道、高可靠性小信号MOSFET),采用超小型SOT-723封装(1.2×0.8×0.5 mm),具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅约280 mΩ @ Vgs=4.5V)、低栅极电荷(Qg≈0.9 nC)及ESD保护(HBM 2kV)等特点。

其主要应用场景包括:  
✅ 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的LED背光驱动、摄像头模块电源开关、SIM卡/SD卡电源控制等,得益于小尺寸与低功耗特性;  
✅ 负载开关(Load Switch):用于USB接口、传感器、RF模块等外设的上电时序控制与电源隔离,防止浪涌电流;  
✅ DC-DC转换器同步整流:在微型降压(Buck)转换器中作为高效同步整流管,提升轻载效率;  
✅ 电池供电系统保护电路:配合充电IC或电源管理单元(PMU),实现过流/反向阻断保护;  
✅ 工业与IoT节点:用于低功耗MCU外围驱动、GPIO扩展开关、小型继电器替代方案等空间受限场景。

该器件工作结温范围为–55°C 至 +150°C,符合AEC-Q101(车规级)标准,亦适用于对可靠性要求较高的车载信息娱乐子模块(如按键背光、传感器供电)。注意:虽为双芯片结构,但MCH6342-TL-H在官方数据手册及分销平台中归类为“单个MOSFET”,实际应用中按单N沟道器件设计使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 30V 4.5A MCPH6MOSFET SWITCHING DEVICE

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.8V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4.5 A

Id-连续漏极电流

- 4.5 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH6342-TL-H-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

MCH6342-TL-H

Pd-PowerDissipation

1.5 W

Pd-功率耗散

1.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

56 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

56 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

650pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.6nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

73 毫欧 @ 2A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-MCPH

功率-最大值

1.5W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-SMD,扁平引线

封装/箱体

MCPH-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A (Ta)

系列

MCH6342

配置

Quad

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