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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MCH6336-P-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6336-P-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6336-P-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH6336-P-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH6336-P-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6336-P-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6336-P-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道功率MOSFET（采用共漏极配置的双N-MOS，实际为双N沟道逻辑电平增强型MOSFET，封装为SOT-723），常用于高效率、小尺寸电源管理场景。其典型应用包括： 1. 便携式电子设备电源开关：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关（Load Switch），用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速唤醒； 2. DC-DC转换器同步整流：在小型降压（Buck）转换器中作为下管（low-side switch），配合控制器提升转换效率（导通电阻Rds(on)典型值仅45mΩ @ Vgs=4.5V）； 3. 电池保护电路：用于锂电池充放电路径控制或过流/短路保护模块中的主开关元件； 4. LED驱动与背光控制：在空间受限的显示模组中驱动LED串或调节亮度； 5. USB Type-C接口电源路径管理：支持正向/反向供电切换及限流保护。 该器件具备低栅极电荷（Qg≈3.2nC）、逻辑电平驱动（Vgs(th)低至0.6–1.2V）、超小SOT-723封装（0.8×0.6×0.3mm），适合高密度PCB布局与电池供电系统的能效优化需求。注意：其为双N-MOS共源结构（非单个独立MOS），但数据手册归类为“单个”指单封装内集成两个匹配MOSFET，常按单通道使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MCH6336-P-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
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