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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MCH6321-TL-W
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6321-TL-W由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6321-TL-W价格参考。ON SemiconductorMCH6321-TL-W封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH6321-TL-W参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6321-TL-W 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6321-TL-W 是罗姆（ROHM）公司推出的双P沟道MOSFET（实际为单封装内集成两个独立P沟道MOSFET，但产品分类中常归为“MOSFET - 单个”系列中的双芯片封装型号；需注意其数据手册明确标注为Dual P-Channel），采用超小型TSMT6（也称SOT-457）封装，具有低导通电阻（Rds(on) typ. 38mΩ @ Vgs = –4.5V）、快速开关特性及高静电防护能力（HBM ±2000V）。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或背光LED驱动的电流控制； 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管，提升效率并减小发热； 3. H桥电机驱动：配合N沟道MOSFET构成半桥或H桥，用于微型直流电机（如振动马达、摄像头OIS模组）的正反转与PWM调速； 4. USB接口过压/反向电流保护：利用其低阈值电压（Vgs(th) –0.5V to –1.2V）实现紧凑型反向阻断设计； 5. 热插拔与电源轨隔离：在多电源域系统中实现受控上电时序和故障隔离。 其小尺寸、低功耗与高可靠性特别适合空间受限、强调能效与长期稳定性的消费类及工业级嵌入式应用。使用时需注意栅极驱动兼容性（推荐Vgs ≤ –4.5V以确保充分导通）及PCB散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4A MCPH6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MCH6321-TL-W |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 375pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 83 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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