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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MCH6123-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6123-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6123-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH6123-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH6123-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6123-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6123-TL-E 是罗姆（ROHM）公司出品的NPN型双极结型晶体管（BJT），采用超小型TSMT6（SC-96）封装，具备低导通电阻、高开关速度和优良热稳定性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC转换器中的开关驱动：常用于升压/降压电路的栅极驱动级或次级侧同步整流控制，驱动MOSFET或IGBT； 2. 电源管理模块：在手机、可穿戴设备、TWS耳机等便携式电子产品的负载开关、LED背光/闪光灯控制、电池充放电保护电路中，实现快速通断与电流检测； 3. 信号切换与逻辑电平转换：适用于MCU GPIO扩展、I²C/SPI总线缓冲、传感器接口中的电平适配与隔离； 4. 电机驱动电路：用于微型直流电机（如振动马达、风扇）的H桥预驱级或单路PWM调速开关； 5. 工业与消费类小功率负载控制：如继电器驱动、蜂鸣器驱动、LED恒流调节等。 该器件最大集电极电流IC=500mA，VCEO=50V，hFE=120–270（@IC=100mA），具备内置基极-发射极电阻（R1=2.2kΩ, R2=4.7kΩ），支持直接CMOS/TTL电平驱动，简化外围电路设计，显著节省PCB空间，特别适合高密度、低功耗、小体积的现代电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 3A 50V MCPH6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MCH6123-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 650mV @ 100mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V |
| 供应商器件封装 | 6-MCPH |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 390MHz |
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