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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH5819-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH5819-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyMCH5819-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH5819-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH5819-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ONS品牌的MCH5819-TL-E是一款RF(射频)MOSFET晶体管,采用SOT-363(SC-70)小型表面贴装封装,具有低栅极电荷、快速开关特性及优异的高频性能。其典型应用场景包括: 1. 无线通信前端模块:适用于2.4 GHz–5.8 GHz频段的Wi-Fi(IEEE 802.11a/b/g/n/ac)、蓝牙、Zigbee等短距离无线设备中的射频开关或功率放大器驱动级,实现天线切换或信号路径控制。 2. 射频开关与T/R切换:凭借低导通电阻(Rds(on)典型值约3.5 Ω @ Vgs=4.5V)和高隔离度,常用于手机、物联网终端中收发(Tx/Rx)通道的单刀双掷(SPDT)射频开关设计。 3. 低功耗射频功率放大器输出级:适合小信号、中低功率(<100 mW)应用,如无线传感器节点、遥控器、智能穿戴设备中的发射链路末级放大。 4. 汽车电子与工业无线模块:满足AEC-Q200基础可靠性要求(注:需确认具体批次是否通过车规认证),可用于车载遥控接收、TPMS(胎压监测)接收端及工业遥控系统。 该器件工作电压范围宽(Vds=20V,Vgs=±12V),静电防护能力强(HBM ESD >2kV),配合优化的PCB布局可实现良好阻抗匹配与热管理。需注意其为N沟道增强型MOSFET,设计时应确保驱动电压充分(推荐Vgs ≥ 3.3V以保障低Rds(on)),并避免超过最大结温(150°C)。