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- 型号： MCH3477-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3477-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3477-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH3477-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH3477-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH3477-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3477-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型SOT-723封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 95mΩ @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.3nC）和快速开关特性。其额定电压为−20V，连续漏极电流达−0.5A（Ta=25°C），适合低压、小功率、空间受限的便携式电子系统。 典型应用场景包括： 1. 便携设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速响应； 2. LED驱动与背光控制：在小型显示屏或指示灯电路中作PWM调光开关，利用其快速开关能力提升能效与调光精度； 3. USB接口保护/限流：配合限流IC构成过流保护路径，防止反向电流或短路损坏主控芯片； 4. DC-DC转换器同步整流（低压侧）：在微型升压/降压模块中替代肖特基二极管，降低导通损耗，提高转换效率； 5. IoT传感器节点电源切换：在超低功耗MCU系统中控制传感器、无线模块（如BLE）的供电，延长电池寿命。 其微小封装、低静态电流（IGSS < ±100nA）及符合AEC-Q200可靠性标准（部分批次），也适用于车载信息娱乐系统中的非安全关键子模块。需注意：设计时应优化PCB散热焊盘，并确保栅极驱动电压满足阈值要求（VGS(th) ≈ −0.5V至−1.2V）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 4.5A MCPH3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MCH3477-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 410pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
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