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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MCH3427-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3427-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3427-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyMCH3427-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH3427-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH3427-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3427-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型SOT-723封装（1.0×0.6×0.37 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 190 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.7 nC）和快速开关特性。其额定电压为−20 V，连续漏极电流为−0.5 A（Ta = 25°C），适合低压、小电流、空间受限的便携式电子应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速唤醒； ✅ 高边开关/反向电压保护：在USB接口、充电管理模块中防止反接或浪涌，利用其P沟道特性简化驱动设计（无需电平移位）； ✅ LED驱动与背光控制：在小型显示屏或指示灯电路中作为调光开关，响应快、功耗低； ✅ DC-DC转换器同步整流：在微型降压（Buck）转换器中作同步整流管，提升轻载效率； ✅ IoT传感器节点：用于MCU外围电路的电源域隔离或传感器供电使能，满足小尺寸与低静态电流要求。 该器件凭借微型封装、低功耗与高可靠性，特别适用于对PCB面积、热设计及电池续航敏感的消费类与可穿戴电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MCH3427-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 52 毫欧 @ 2A，4V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 其它名称 | 869-1171-6 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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