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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MCH3421-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3421-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3421-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyMCH3421-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH3421-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH3421-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3421-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型SOT-723封装（尺寸仅1.0×0.6×0.35 mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为240 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9 nC）和快速开关特性。其额定电压为–20 V，连续漏极电流ID为–0.5 A（Ta=25℃），适合低压、小电流、空间受限的便携式电子设备。 典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备的负载开关：如TWS耳机、智能手表、无线传感器节点中，用于控制电源通断，实现低功耗待机管理； ✅ 电源轨隔离与反向电流阻断：在多电源系统（如USB供电+电池双源）中防止反向电流倒灌； ✅ LED驱动与背光控制：作为低压侧开关驱动小型LED或OLED显示屏背光，响应快、功耗低； ✅ 逻辑电平转换与信号切换：配合微控制器（如GPIO直接驱动）实现电平翻转或信号选通； ✅ DC-DC转换器同步整流/辅助开关：在微型降压或升降压模块中作辅助开关，提升轻载效率。 其超小封装和无铅环保设计特别适用于高密度PCB布局，广泛应用于可穿戴设备、IoT终端、医疗电子及消费类便携产品。需注意：设计时应确保Vgs不超过±12 V，并预留足够散热余量（结温≤150℃）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MCH3421-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 165pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 890 毫欧 @ 400mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 其它名称 | 869-1170-6 |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 800mA （Ta） |
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