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- 型号： MCH3414-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3414-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3414-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH3414-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH3414-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH3414-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3414-TL-E是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用超小型SOT-723封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（RDS(on)典型值为240mΩ@VGS=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈0.9nC）和快速开关特性。其额定电压为20V，连续漏极电流达0.5A（Ta=25℃），适合低压、小电流、高空间密度的应用场景。 典型应用包括： ✅ 便携式电子设备电源管理——如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED驱动或电池保护电路； ✅ DC-DC转换器次级侧同步整流——在微型降压（Buck）转换器中提升效率，降低热耗散； ✅ 电池供电IoT终端的信号切换与电源路径控制——例如USB接口供电切换、传感器模块供电使能； ✅ 马达驱动与LED调光——用于微型振动马达（如手机触觉反馈）或RGB LED的PWM调光控制； ✅ 空间受限的可穿戴设备与医疗贴片设备——得益于超小封装和低功耗特性，满足严格尺寸与能效要求。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th)低至0.5V），可直接由MCU GPIO控制，无需额外驱动电路，简化设计并降低成本。需注意散热设计，在持续高负载下建议优化PCB铜箔面积以保障温升安全。
产品参数
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