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  • 型号: MCH3406-TL-E
  • 制造商: SANYO Semiconductor Company
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3406-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3406-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyMCH3406-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH3406-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH3406-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MCH3406-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款P沟道增强型MOSFET,采用超小型SOT-723封装(尺寸仅1.2×0.8×0.5mm),具有低导通电阻(Rds(on)典型值为90mΩ @ Vgs = –4.5V)、低栅极电荷(Qg ≈ 1.3nC)和快速开关特性。其主要应用场景包括:  
1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关与电池保护电路,利用其小尺寸和低功耗优势节省PCB空间;  
2. 高效DC-DC转换器:常作为同步降压转换器的高边或低边开关(尤其适配低压输入,如2.5–12V系统),提升转换效率;  
3. LED驱动与背光控制:用于OLED/LCD屏幕的电流调节与PWM调光,响应快、热损耗低;  
4. USB Type-C接口保护与供电切换:配合USB PD协议实现VBUS路径控制与反向电流阻断;  
5. 工业传感器与IoT节点:在低功耗无线模块(如BLE、Zigbee)中用作电源域隔离或休眠唤醒开关,支持微安级待机电流。  
该器件具备±12V栅源耐压、-1.5A连续漏极电流(ID)及ESD防护能力(HBM ±2kV),适用于高密度、高可靠性要求的紧凑型设计。
产品参数 图文手册 常见问题
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