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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MCH3333A-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3333A-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3333A-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH3333A-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH3333A-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH3333A-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3333A-TL-H 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型SOT-723封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 95mΩ @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.6nC）和快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路或背光LED驱动的高端/低端控制，得益于小尺寸与低功耗优势； 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中作为同步整流管，提升效率（尤其在低压大电流场景）； 3. 高密度板级电源分配：用于主板、IoT模块等空间受限场景的电压域隔离、上电时序控制或热插拔保护； 4. 电池供电系统保护：配合充电IC实现反向电流阻断、过流/短路保护及电池反接防护； 5. 低功耗传感节点：在无线传感器网络中用于MCU外设供电的按需启停，降低待机功耗。 该器件额定电压−20V，连续漏极电流−0.8A（Ta=25°C），适合低压（≤5V）、中小电流（≤1A）的高频开关应用，不适用于高压或大功率场景。其无铅、符合RoHS及AEC-Q200可靠性标准（注：MCH3333A-TL-H为工业级，非车规；车规型号通常带“AEC-Q200”标识），广泛用于消费电子与工业控制领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 2.A MCPH3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MCH3333A-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 240pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.8nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 215 毫欧 @ 1A， 4V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
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