图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3317-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3317-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyMCH3317-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH3317-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH3317-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3317-TL-E 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,专为射频(RF)应用优化设计。其典型应用场景包括: 1. 手机及便携式终端的射频前端模块(RFFE):常用于 4G LTE / 5G 智能手机的天线调谐开关、主/分集天线切换(Antenna Tuning & Diversity Switching),支持高频段(如 700 MHz–3.8 GHz)快速、低损耗信号路径控制。 2. 高效率射频功率开关与旁路开关:凭借低导通电阻(RDS(on) ≈ 0.35 Ω @ VGS=4.5V)、低栅极电荷(Qg ≈ 1.1 nC)和优异的开关速度,适用于 TDD-LTE 系统中 PA(功率放大器)输出端的发射/接收(Tx/Rx)切换,以及滤波器/匹配网络的动态重构。 3. 小型化射频模组集成:采用超小型 TSOP-6 封装(尺寸仅 2.9 mm × 1.6 mm),适合空间受限的移动设备,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。 4. Wi-Fi 6/6E 和蓝牙共存系统:用于多频段射频收发链路中的隔离与路由,降低干扰,提升吞吐率与连接稳定性。 该器件具备高可靠性、低插入损耗与良好线性度,符合 RoHS 标准,广泛应用于消费电子射频子系统中对性能、尺寸与功耗有严苛要求的场景。