Datasheet下载- 型号： MC3423DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MC3423DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC3423DR2G价格参考。ON SemiconductorMC3423DR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MC3423DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MC3423DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MC3423DR2G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 TVS（瞬态电压抑制器）器件，属于混合技术类别。其主要应用场景包括： 1. 电源线保护：MC3423DR2G 可用于保护电子设备的电源输入端口免受雷击、电涌或开关瞬态等过电压事件的影响，确保电源系统的稳定性。 2. 数据线和信号线保护：在通信接口（如 USB、以太网、RS-232 等）中，该器件能够防止静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压对敏感信号线路的损害。 3. 汽车电子系统：适用于汽车中的各种电子控制单元 (ECU)，例如车载信息娱乐系统、传感器网络和 CAN 总线，提供可靠的过压保护。 4. 工业自动化设备：在工厂自动化和过程控制应用中，保护 I/O 模块、传感器和通信链路免受恶劣环境下的电压波动影响。 5. 消费类电子产品：用于家用电器、音频/视频设备和其他便携式电子产品中，提高产品对抗外部电磁干扰的能力，延长使用寿命。 6. 电信设备：在基站、路由器和交换机等通信基础设施中，为关键组件提供防护，减少因电压浪涌导致的故障。 MC3423DR2G 的设计使其能够在高能量瞬态条件下快速响应并箝位电压，从而有效保护下游电路不受损害。这种器件通常具有低电容特性，适合高速信号线路的应用场合。同时，其封装形式便于集成到各种 PCB 设计中，满足不同行业的紧凑性和可靠性要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | IC SENSOR UNDERVOLTAGE 8-SOIC |
| 产品分类 | TVS - 其它复合 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MC3423DR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率(W) | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 应用 | 通用 |
| 技术 | 混合技术 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-工作 | - |
| 电压-箝位 | - |
| 电路数 | 2 |
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