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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MC33152DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC33152DR2G价格参考。ON SemiconductorMC33152DR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MC33152DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MC33152DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MC33152DR2G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款双通道高压栅极驱动器,属于PMIC中的栅极驱动器类别。该器件广泛应用于需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的场景。其典型应用场景包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器以及功率因数校正(PFC)电路等。 MC33152DR2G具备高噪声 immunity 和较强的驱动能力,适合在工业自动化、消费电子和通信电源系统中使用。它支持高达18V的电源电压,输出电流可达0.6A/1.2A(源/灌),可快速充放电MOSFET栅极,降低开关损耗,提高系统效率。此外,其推挽输出结构和宽工作温度范围(-40°C 至 +125°C)使其适用于环境较恶劣的工业控制设备。 该芯片采用SOIC-8封装,体积小,便于集成,常用于紧凑型电源设计。凭借安森美在功率管理领域的技术优势,MC33152DR2G在可靠性与性价比方面表现优异,是中小功率电源系统中理想的栅极驱动解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC DRIVER MOSFET DUAL HS 8SOIC门驱动器 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,ON Semiconductor MC33152DR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MC33152DR2G |
| 上升时间 | 36 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MC33152DR2GOSDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 延迟时间 | 55ns |
| 最大功率耗散 | 560 mW |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 激励器数量 | 2 Driver |
| 电压-电源 | 6.1 V ~ 18 V |
| 电流-峰值 | 1.5A |
| 电源电压-最小 | 6.5 V |
| 电源电流 | 10.5 mA |
| 类型 | High Speed |
| 系列 | MC33152 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 2 |
| 输出端数量 | 2 |
| 配置 | Non-Inverting |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | - |