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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的MC100EL12DR2G是一款ECL(发射极耦合逻辑)技术的多功能、可配置逻辑门器件,属于高速逻辑电路系列。该器件主要应用于对信号传输速度和时序精度要求较高的场合。 典型应用场景包括:高速通信设备中的时钟分配与信号整形、光纤网络系统、电信基础设施(如基站和交换设备)、测试与测量仪器以及雷达和军事电子系统。MC100EL12DR2G支持多种逻辑功能配置,适合用于实现频率分频、相位控制、脉冲处理和时序调整等功能,尤其适用于差分ECL/PECL信号环境。 其高速性能(可达数百MHz至GHz级别)、低传播延迟和优异的信号完整性,使其在需要精确时序控制的系统中表现出色。此外,该器件采用SOIC-8封装,具有较好的可靠性和稳定性,适合工业级和扩展温度范围应用。 总之,MC100EL12DR2G广泛用于高性能数字系统中,作为关键的时序管理和逻辑控制元件,特别适用于高速数据传输和精密信号处理领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC BUFFER DRIVER ECL N-INV 8SOIC |
| 产品分类 | 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | MC100EL12DR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 100EL |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 元件数 | 1 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 每元件位数 | 1 |
| 电压-电源 | -4.2 V ~ -5.7 V |
| 电流-输出高,低 | - |
| 逻辑类型 | 缓冲器/线路驱动器,非反相 |