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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的MBT35200MT2G是一款NPN型双极性晶体管(BJT),采用SOT-223封装,具有较高的电流和功率处理能力。该器件主要用于中等功率放大和开关应用场合。 典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:适用于线性稳压器、DC-DC转换器中的驱动级或调整管,尤其在需要较高电流输出的低压电源系统中表现良好。 2. 电机驱动:可用于小型直流电机或步进电机的控制电路中,作为开关元件实现启停和调速功能。 3. 照明控制:在LED驱动电路中用作开关或恒流源调节元件,适用于工业或汽车照明系统。 4. 消费类电子设备:如家电控制板、电源适配器、充电器等,用于信号放大或负载开关控制。 5. 工业控制与自动化:在继电器驱动、传感器信号调理和逻辑接口电路中,实现低电平信号对高功率负载的控制。 MBT35200MT2G具备良好的热稳定性和可靠性,并通过了AEC-Q101车规认证,因此也适用于部分汽车电子环境,如车身控制模块、车载电源系统等。其SOT-223封装便于散热,适合紧凑型设计需求。 综上,该型号广泛应用于工业、消费电子及部分汽车领域中的中功率模拟与数字控制电路中,是一款性能稳定、通用性强的双极晶体管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS SW PNP BIPO 35V 2A 6-TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MBT35200MT2G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 310mV @ 20mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1.5A,1.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 35V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |