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MBRT40035R产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBRT40035R由GeneSiC Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBRT40035R价格参考。GeneSiC SemiconductorMBRT40035R封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky, Reverse Polarity 35V 400A (DC) Chassis Mount Three Tower。您可以下载MBRT40035R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBRT40035R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
GeneSiC Semiconductor的MBRT40035R是一款高性能的碳化硅(SiC)整流二极管阵列,广泛应用于需要高效、高频率和高温稳定性的电力电子系统中。该器件结合了碳化硅材料的优异特性与整流器阵列的高集成度,适用于如下的主要应用场景: 1. 电源转换系统:如高效开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC整流模块,适用于通信设备、服务器电源和工业电源系统。 2. 电动汽车(EV)充电系统:包括车载充电器(OBC)和快速充电桩,MBRT40035R的高耐压、低损耗特性可提升充电效率并减小系统体积。 3. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风能转换系统,其优异的高温性能和高可靠性可适应恶劣环境,提高能源转换效率。 4. 工业电机驱动与变频器:用于工业自动化设备中的电机控制和变频电源,有助于降低能耗、提高系统稳定性。 5. 高频率功率变换器:适用于高频开关应用,如无线充电系统和感应加热设备,得益于其快速恢复特性和低开关损耗。 总之,MBRT40035R凭借其碳化硅材料带来的高性能优势,适用于对效率、可靠性和功率密度要求较高的高端电力电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE MODULE 35V 400A |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 模块 |
| 品牌 | GeneSiC Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MBRT40035R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 750mV @ 200A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1mA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基, 反极性 |
| 二极管配置 | - |
| 供应商器件封装 | 三塔 |
| 其它名称 | 1242-1100 |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | 三塔 |
| 标准包装 | 25 |
| 热阻 | * |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 35V |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 400A(DC) |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
MBRT40020 thru MBRT40040R Silicon Power V = 20 V - 40 V RRM Schottky Diode I = 400 A F(AV) Features • High Surge Capability Three Tower Package • Types from 20 V to 40 V V RRM • Isolation Type Package • Electrically Isolated Base Plate • Not ESD Sensitive Maximum ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed) j Parameter Symbol Conditions MBRT40020(R)MBRT40030(R) MBRT40035(R) MBRT40040(R) Unit Repetitive peak reverse voltage V 20 30 35 40 V RRM RMS reverse voltage V 14 21 25 28 V RMS DDCC bblloocckkiinngg vvoollttaaggee VV 2200 3300 3355 4400 VV DDCC Operating temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C j Storage temperature T -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 -55 to 150 °C stg Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions MBRT40020(R)MBRT40030(R) MBRT40035(R) MBRT40040(R) Unit Average forward current (per I T =125 °C 400 400 400 400 A pkg) F(AV) C Peak forward surge current (per I t = 8.3 ms, half sine 3000 3000 3000 3000 A leg) FSM p Maximum instantaneous forward V I = 200 A, T = 25 °C 0.70 0.70 0.70 0.70 V voltage (per leg) F FM j Maximum Instantaneous reverse Tj = 25 °C 1 1 1 1 current at rated DC blocking I T = 100 °C 10 10 10 10 mA R j voltage (per leg) T = 150 °C 50 50 50 50 j Thermal characteristics Maximum thermal resistance, R 0.35 0.35 0.35 0.35 °C/W junction - case (per leg) ΘJC 1 www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/
MBRT40020 thru MBRT40040R 2 www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/
MBRT40020 thru MBRT40040R Package dimensions and terminal configuration Product is marked with part number and terminal configuration. 3 www.genesicsemi.com/silicon-products/schottky-rectifiers/
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