Datasheet下载- 型号： MBRB3045CT-1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBRB3045CT-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBRB3045CT-1G价格参考。ON SemiconductorMBRB3045CT-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBRB3045CT-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBRB3045CT-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBRB3045CT-1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款二极管整流器阵列，属于功率肖特基整流器系列。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理 - MBRB3045CT-1G 常用于各种电源管理电路中，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块（VRM）。其低正向压降特性有助于提高效率，减少能量损耗。 - 在电池充电电路中，可以用作反向电流保护或续流二极管。 2. 电机驱动与控制 - 在电机驱动电路中，该器件可用作自由轮二极管（Flyback Diode），以吸收感性负载（如电机绕组）关断时产生的反电动势，保护开关元件。 - 适用于小型直流电机、步进电机和伺服电机的驱动电路。 3. 汽车电子 - 由于其高可靠性及耐高温性能，该整流器阵列适合用于汽车电子系统，例如车载充电器、LED 照明驱动、车载信息娱乐系统等。 - 在汽车启动电路或发电机整流桥中，可以作为关键组件之一。 4. 消费类电子产品 - 广泛应用于手机充电器、平板电脑适配器、笔记本电脑电源适配器以及其他便携式设备的电源电路中。 - 在 USB 充电接口中，可防止电流反向流动，确保设备安全。 5. 信号保护 - 用作输入/输出端口的保护二极管，防止静电放电（ESD）或过压对敏感电路造成损害。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中，可用于继电器驱动、传感器接口以及 PLC（可编程逻辑控制器）相关电路中的整流或保护功能。 特性优势： - 低正向压降：减少功耗，提升系统效率。 - 高浪涌电流能力：增强抗瞬态干扰的能力。 - 紧凑封装：节省 PCB 空间，适合小型化设计。 综上所述，MBRB3045CT-1G 的应用场景涵盖电源管理、电机驱动、汽车电子、消费类电子和工业自动化等领域，是一款高性能且用途广泛的肖特基整流器阵列。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 45V 15A I2PAK二极管 - 通用，功率，开关 REC 30A 45V SCHTY |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用，功率，开关,ON Semiconductor MBRB3045CT-1GSWITCHMODE™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBRB3045CT-1G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 620mV @ 15A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 45V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品种类 | 二极管 - 通用，功率，开关 |
| 供应商器件封装 | I2PAK（TO-262） |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK |
| 峰值反向电压 | 45 V |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大反向漏泄电流 | 0.2 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 150 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电压下降 | 0.76 V |
| 正向连续电流 | 30 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 45V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 15A |
| 系列 | MBR3045ST |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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