Datasheet下载- 型号： MBR60100CT-E3/45
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBR60100CT-E3/45由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR60100CT-E3/45价格参考。VishayMBR60100CT-E3/45封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBR60100CT-E3/45参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBR60100CT-E3/45 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的 MBR60100CT-E3/45 是一款基于肖特基技术的二极管整流器阵列，广泛应用于各种电力电子领域。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 该二极管适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）等电源管理系统中，用于高效整流和逆向电流保护。其低正向压降特性能够减少功率损耗，提高系统效率。 2. 太阳能光伏系统 在光伏电池板的旁路保护电路中，MBR60100CT-E3/45 可以防止因阴影或故障导致的电流反向流动，从而避免热斑效应并确保系统的稳定运行。 3. 电机驱动与控制 此型号可用于无刷直流电机（BLDC）和其他电机驱动器中的续流二极管，为电感负载提供回流路径，同时抑制反电动势对电路的影响。 4. 汽车电子 在汽车应用中，如车载充电器、LED驱动器以及引擎控制单元（ECU），这款二极管因其高可靠性和耐高温性能而备受青睐。它还能满足严苛环境下的电气需求。 5. 消费类电子产品 包括笔记本电脑适配器、平板设备充电器以及家用电器在内的多种产品均可采用该二极管进行高效能量转换与保护设计。 6. 工业自动化 工业级 PLC、变频器及伺服系统中需要快速响应且稳定的整流组件时，MBR60100CT-E3/45 是理想选择之一。 总结来说，Vishay 的 MBR60100CT-E3/45 凭借其出色的性能参数（如 100V 额定电压、6A 持续电流能力及超低 VF 特性），非常适合于需要高效能、高可靠性的整流与保护场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB肖特基二极管与整流器 100 Volt 60A Dual Common-Cathode |
| 产品分类 | 二极管，整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors MBR60100CT-E3/45- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBR60100CT-E3/45MBR60100CT-E3/45 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 820mV @ 30A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 100V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | MBR60100CT-E3/45GI |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 峰值反向电压 | 100 V |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 100 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 350 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电压下降 | 1 V |
| 正向连续电流 | 60 A |
| 热阻 | 0.5°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 100V |
| 电流-平均整流(Io)（每二极管） | 30A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Dual Common Cathode |
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