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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBR3100G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR3100G价格参考。ON SemiconductorMBR3100G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MBR3100G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBR3100G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBR3100G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基二极管,属于二极管 - 整流器 - 单类别。其主要应用场景包括以下方面: 1. 电源管理: MBR3100G 常用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)和线性稳压器中的整流电路。由于其低正向电压降(典型值为 0.35V),能够有效减少功率损耗,提高电源系统的效率。 2. 逆向电流保护: 在电子设备中,该二极管可以用来防止电池或电源的反向连接问题,避免因电流倒灌导致的设备损坏。 3. 续流保护: 在电感性负载(如电机驱动、继电器控制)中,MBR3100G 可用作续流二极管,吸收电感元件在关断时产生的反向电动势,从而保护开关器件(如 MOSFET 或晶体管)。 4. 太阳能电池板应用: 在光伏系统中,肖特基二极管可用作旁路二极管,防止当某些电池板被遮挡或故障时,整个系统性能下降。MBR3100G 的高效率和快速恢复特性使其非常适合这种场景。 5. USB 充电保护: 在便携式设备的 USB 充电接口中,该二极管可用于防止外部电源异常时对设备造成损害,同时确保充电过程的安全性和稳定性。 6. 汽车电子: 在汽车电子系统中,MBR3100G 可用于车载充电器、LED 照明驱动以及各种控制模块中的整流与保护功能。 总结来说,MBR3100G 凭借其低功耗、快速响应及可靠性,广泛应用于消费类电子产品、工业设备、通信设备以及汽车电子等领域,特别是在需要高效整流和保护的场合表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD肖特基二极管与整流器 3A 100V |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBR3100G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBR3100G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 790mV @ 3A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 600µA @ 100V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-201AD |
| 其它名称 | MBR3100G-ND |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-201AA,DO-27,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-201AD |
| 峰值反向电压 | 100 V |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 20000 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 150 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向电压下降 | 0.79 V |
| 正向连续电流 | 3 A |
| 热阻 | 28°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 100V |
| 电流-平均整流(Io) | 3A |
| 系列 | MBR3100 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | MBR3100RLG |