Datasheet下载- 型号： MBR1035G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBR1035G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR1035G价格参考。ON SemiconductorMBR1035G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBR1035G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBR1035G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBR1035G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款肖特基整流二极管，主要应用于需要高效整流和低功耗的电路中。其应用场景主要包括： 1. 电源适配器与充电器：用于AC-DC转换电路中，将交流电整流为直流电，适用于笔记本电脑、手机等电子设备的充电器设计。 2. DC-DC转换器：在开关电源中的续流二极管或整流元件，因其低正向压降（约0.35V）可提高电源效率，减少发热。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源或逆变器中，用于电流整流与隔离保护，提高系统稳定性和可靠性。 4. 工业控制设备：用于工业自动化设备中的电源模块，提供高效的整流功能，确保设备稳定运行。 5. 汽车电子系统：如车载充电系统、发电机整流器等，适用于对可靠性和效率要求较高的车载环境。 该器件采用TO-220封装，具备10A额定电流和35V反向耐压，适用于中高功率应用。其快速恢复特性和低功耗设计，使其在高频开关电路中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO220-2肖特基二极管与整流器 10A 35V |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBR1035GSWITCHMODE™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBR1035G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 840mV @ 20A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 35V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-220-2 |
| 其它名称 | MBR1035GOS |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 封装/箱体 | TO-220-2 |
| 峰值反向电压 | 35 V |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 100 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 150 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电压下降 | 0.84 V at 20 A |
| 正向连续电流 | 10 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 35V |
| 电流-平均整流(Io) | 10A |
| 系列 | MBR1035 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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