Datasheet下载- 型号： MAP6KE8.2AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MAP6KE8.2AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MAP6KE8.2AE3价格参考。MICRO-SEMIMAP6KE8.2AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MAP6KE8.2AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MAP6KE8.2AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=9518 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MAP6KE8.2AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 其它名称 | 1086-4606 |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 7.79V |
| 电压-反向关态（典型值） | 7.02V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 12.1V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 50A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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