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- 型号： LPV358IDR
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供LPV358IDR由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LPV358IDR价格参考。Texas InstrumentsLPV358IDR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载LPV358IDR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有LPV358IDR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
LPV358IDR 是德州仪器（Texas Instruments）推出的双通道低电压、低功耗运算放大器，采用SOIC-8封装。其典型应用场景包括： 1. 便携式与电池供电设备：工作电压低至2.7V（支持2.7V–6V单电源），静态电流仅80μA/通道，适用于智能穿戴、无线传感器节点、手持仪表等对功耗敏感的场景。 2. 信号调理前端：具备轨到轨输入/输出（RRIO）、低输入偏置电流（0.5pA）和低失调电压（最大3.5mV），适合高阻抗传感器（如热电偶、光电二极管、pH电极）的微弱信号放大与缓冲。 3. 工业与消费类传感系统：集成EMI抑制设计，抗干扰能力强；-40°C至125°C宽温范围，适用于环境监测模块、家电控制板（如温控器、烟雾报警器）中的模拟前端。 4. 低成本通用放大应用：作为单位增益缓冲器、反相/同相放大器、有源滤波器或比较器（配合外部迟滞）使用，广泛用于电机驱动反馈环路、音频前置放大（非Hi-Fi级）、LED恒流控制等中低速模拟电路。 注：不适用于高频（>1MHz）、高精度（需亚微伏失调）或高驱动能力场景。设计时建议注意PCB布局以抑制噪声，并在电源引脚就近放置0.1μF去耦电容。
| 参数 | 数值 |
| -3db带宽 | - |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC OPAMP GP 237KHZ RRO 8SOIC |
| 产品分类 | Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | LPV358IDR |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | 296-17722-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 压摆率 | 0.1 V/µs |
| 增益带宽积 | 237kHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 放大器类型 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源，单/双 (±) | 2.7 V ~ 5 V |
| 电压-输入失调 | 1.5mV |
| 电流-电源 | 15µA |
| 电流-输入偏置 | 2nA |
| 电流-输出/通道 | 72mA |
| 电路数 | 2 |
| 设计资源 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/texas-instruments-webench-design-center/3176 |
| 输出类型 | 满摆幅 |
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