图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： LET20045C
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供LET20045C由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LET20045C价格参考。STMicroelectronicsLET20045C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载LET20045C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有LET20045C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | RF MOSFET N CH 80V 12A M243射频MOSFET晶体管 RF PWR trans Ldmost 2.0 GHz N-Ch ENH |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics LET20045C- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | LET20045C |
| Pd-PowerDissipation | 130 W |
| Pd-功率耗散 | 130 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | M243 |
| 其它名称 | 497-13349 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1822/PF252300?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 54W |
| 功率耗散 | 130 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 12.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | M243 |
| 封装/箱体 | M243 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 技术 | LDMOS |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 80V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 系列 | LET20045 |
| 输出功率 | 65 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 15 V |
| 频率 | 2 GHz |
| 额定电流 | 12A |
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