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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供KST4126MTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KST4126MTF价格参考。Fairchild SemiconductorKST4126MTF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载KST4126MTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KST4126MTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KST4126MTF 是安森美(onsemi)推出的 PNP 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-23 表面贴装封装,具有低饱和电压、高直流电流增益(hFE 典型值达 300@IC=10mA)、快速开关特性及良好的热稳定性。 其典型应用场景包括: ✅ 小信号开关与电平转换:常用于微控制器(如STM32、ESP32)GPIO驱动的反相开关电路,控制LED、蜂鸣器、继电器线圈或逻辑门输入; ✅ 负载开关/电源通断管理:在便携设备中作为低压侧(PNP结构需配合上拉/偏置)或互补推挽输出级的一部分,实现外设供电启停; ✅ 电流镜与模拟传感前端:因增益稳定、噪声较低,适用于精密电流检测、温度补偿电路或传感器信号调理中的偏置/放大环节; ✅ 电池供电设备:SOT-23 小尺寸、低功耗特性使其广泛用于TWS耳机、智能手环、IoT传感器节点等空间受限、强调能效的终端。 注意:KST4126MTF 为PNP型,使用时发射极接高电平,基极需负向偏置才能导通,设计中应合理配置限流电阻并避免超过最大额定值(VCEO=−25V,IC=−200mA,PD≈350mW)。 (字数:298)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 25V 200MA SOT-23两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KST4126MTF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KST4126MTF |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 2mA,1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 4 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 360 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 系列 | KST4126 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 25 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 25 V |
| 集电极连续电流 | - 0.2 A |
| 频率-跃迁 | 250MHz |