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- 型号： KSE13009TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSE13009TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSE13009TU价格参考。Fairchild SemiconductorKSE13009TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KSE13009TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSE13009TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSE13009TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款NPN型高反压、大电流双极结型晶体管（BJT），主要面向高功率开关应用。其典型参数包括：VCEO = 400 V、IC = 12 A、PD ≈ 100 W（带散热器），具备良好的开关特性与饱和压降低（VCE(sat) ≈ 1.5 V @ IC=8A），适用于中高频（fT ≈ 4 MHz）硬开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：用作主开关管，常见于AC-DC适配器、LED驱动电源及工业电源的功率级； ✅ 电子镇流器与节能灯电路：驱动荧光灯/LED灯管，承受高频高压脉冲； ✅ 电机控制：中小功率直流电机或步进电机的H桥/单端驱动开关； ✅ 电磁阀/继电器驱动：在工业自动化中控制感性负载； ✅ 逆变器与UPS系统：作为DC-AC变换中的功率开关元件（常需并联或多管协同使用）。 注意：该器件为TO-220封装，需可靠散热；设计时应配合续流二极管（如FR107）保护感性负载，并合理设置基极驱动（推荐IB ≥ IC/10以确保充分饱和）。不适用于线性放大或高频射频应用。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 两极晶体管 - BJT |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSE13009TU |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | 9 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/箱体 | TO-220 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大功率耗散 | 100000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 12 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 8 |
| 系列 | KSE13009 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 700 V |
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