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  • 型号: KSC5502DTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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KSC5502DTM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供KSC5502DTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSC5502DTM价格参考。Fairchild SemiconductorKSC5502DTM封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 600V 2A 11MHz 50W 表面贴装 TO-252AA。您可以下载KSC5502DTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有KSC5502DTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

KSC5502DTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该型号的应用场景主要包括以下方面:

1. 开关应用:  
   KSC5502DTM 适合用于各种开关电路,例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等。其低饱和电压和高增益特性使其在这些场景中表现优异。

2. 信号放大:  
   在音频放大器或信号调理电路中,KSC5502DTM 可用作放大元件。它能够提供稳定的电流增益,适用于低噪声和高精度的信号放大需求。

3. 电源管理:  
   该晶体管可用于简单的线性稳压器或电流调节电路,帮助实现电压或电流的精确控制,适用于电池充电器或传感器供电等场合。

4. 通信设备:  
   在低频通信领域,KSC5502DTM 可用于调制解调器、数据传输接口或其他需要小信号放大的应用中。

5. 工业控制:  
   在工业自动化系统中,这款晶体管可以作为传感器信号的放大或转换元件,或者用于驱动小型执行器。

6. 消费电子:  
   它广泛应用于家用电器、玩具和其他消费电子产品中,用于控制和驱动功能模块。

总体而言,KSC5502DTM 的设计使其能够在中小功率范围内高效运行,适用于需要高可靠性和稳定性能的各种应用场景。具体应用时需根据其电气参数(如集电极-发射极电压、最大集电极电流和功耗等)进行合理设计和匹配。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN 600V 2A DPAK两极晶体管 - BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSC5502DTM-

数据手册

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产品型号

KSC5502DTM

PCN封装

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 200mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

4 @ 1A,1V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

KSC5502DTMCT

功率-最大值

50W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

发射极-基极电压VEBO

12 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

11 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

TO-252

工厂包装数量

2500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

75 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

2 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

600V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

100µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

14

系列

KSC5502

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—基极电压VCBO

1.2 kV

集电极—射极饱和电压

0.31 V

集电极连续电流

2 A

频率-跃迁

11MHz

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